Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET N-Kanal, THT MOSFET 2000 V / 123 A, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14

Der Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET zeichnet sich als Hochleistungsbauteil für anspruchsvolle Anwendungen aus. Dank der fortschrittlichen Siliziumkarbid-Technologie bietet er eine außergewöhnliche Effizienz und thermische Leistung und ist damit ideal für den Einsatz in modernen Stromversorgungssystemen. Mit seiner robusten Struktur und seinen innovativen Merkmalen gewährleistet dieses Gerät Zuverlässigkeit bei verschiedenen Anwendungen wie String-Wechselrichtern, Solarstromoptimierung und dem Laden von Elektrofahrzeugen. Der sorgfältig entwickelte MOSFET ist optimal für Hochspannungsumgebungen geeignet und bietet überlegene Betriebsvorteile für den industriellen und kommerziellen Einsatz. Seine fortschrittliche Verbindungstechnologie trägt weiter zu seinem angesehenen Ruf auf dem Markt bei und ermöglicht eine längere Lebensdauer der Geräte und verbesserte Energieverwaltungsfunktionen.

Geringe Schaltverluste für mehr Effizienz
Robuste Body-Diode für harte Kommutierung
Benchmark-Gate-Schwellenspannung für die Steuerung
Sehr niedriger Widerstand im Zustand der Leitfähigkeit
Hoher Wärmewiderstand minimiert Überhitzung
Geeignet für Hochspannung bis zu 2000 V