Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 2000 V / 26 A 217 W, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14

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RS Best.-Nr.:
349-114
Herst. Teile-Nr.:
IMYH200R100M1HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

2000V

Gehäusegröße

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

142mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Maximale Verlustleistung Pd

217W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 2000 V Drain-Source-Spannung, 26 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMYH200R100M1HXKSA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Siliziumkarbid, das für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es bietet eine robuste Lösung für die Umwandlung oder Steuerung großer Spannungen und Ströme in Durchsteckinstallationen und arbeitet über einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich für den Einsatz in rauen Umgebungen.

Merkmale und Vorteile:


• Die Drain-to-Source-Festigkeit von 2000 V vereinfacht Hochspannungsdesigns
• 26 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 217 W hilft bei der thermischen Margenplanung
• 142 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 55 nC ermöglicht eine verwaltete Antriebsenergie
• Das durchkontaktierte PG-TO-247-4-PLUS-NT14-Gehäuse erleichtert die Montage und Kühlung

Anwendungsbereiche


• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler und Wechselrichter
• Ideal für industrielle Motorantriebsstufen
• Einsatz mit Energiespeicher- und Netzanschluss-Schnittstellenschaltkreisen
• Kann für Hochspannungs-Prüf- und Messgeräte verwendet werden
• Geeignet für Traktions- und Hochleistungselektronikmodule

Welche Spannungs- und Polaritätsbewertung sollten Entwickler für Schaltvorgänge erwarten?


Das Gerät ist für 2000 V zwischen Drain und Quelle ausgelegt und als N-Kanal-Transistor konfiguriert, sodass bei der Auslegung ein hohes Spannungsabstand und eine geeignete Gate-Drive-Referenzierung berücksichtigt werden müssen.

Wie wirkt sich die Energie des Gate-Antriebs auf die Auswahl des Gate-Treibers aus?


Bei einer typischen Gate-Ladung von 55 nC sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie genügend Spitzenstrom liefern, um die erforderliche Schaltgeschwindigkeit zu erreichen, während sie gleichzeitig dv/dt steuern, um die elektromagnetische Belastung zu begrenzen.

Welche thermischen Überlegungen sind für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?


Die Komponente leitet unter bestimmten Bedingungen bis zu 217 W ab, sodass das Wärmemanagement einschließlich Kühlkörper und Leiterplatten-Wärmeleitfähigkeit so konstruiert werden muss, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb der Grenzen bleiben.

Welche Montageart unterstützt das Gehäuse und welche Auswirkungen hat das?


Das Durchsteckformat PG-TO-247-4-PLUS-NT14 ermöglicht mechanische Stabilität und eine direkte Kühlkörperbefestigung, was die Montage für Hochleistungsanwendungen vereinfacht.

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