Infineon CoolSiC Trench MOSFET N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 1.2 kV Erweiterung / 100 A 20 mW EasyPACK
- RS Best.-Nr.:
- 348-971
- Herst. Teile-Nr.:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 5.35V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße EasyPACK | ||
Serie CoolSiC Trench MOSFET | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 5.35V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET Fourpack-Modul wurde für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch ein erstklassiges Gehäuse mit einer kompakten Bauhöhe von 12 mm für eine effiziente Raumnutzung aus. Er verfügt über ein führendes Wide Bandgap (WBG)-Material, das die Energieeffizienz und die thermische Leistung verbessert. Mit einer sehr geringen Streuinduktivität des Moduls minimiert dieses Modul die Leistungsverluste und verbessert die Schaltgeschwindigkeit für einen effizienteren Betrieb.
Hervorragende Moduleffizienz
Kostenvorteile des Systems
Verbesserung der Systemeffizienz
Geringerer Kühlungsbedarf
Ermöglichung einer höheren Frequenz
Erhöhung der Leistungsdichte
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