Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 120 A 358 W, 16-Pin PG-HDSOP-16-1

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RS Best.-Nr.:
284-710
Herst. Teile-Nr.:
IAUTN12S5N018TATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

120V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16-1

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

16

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

358W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET bietet außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen. Mit seinem N-Kanal-Enhancement-Mode-Design ist dieser Leistungstransistor so konzipiert, dass er die strengen Anforderungen des Automobilsektors erfüllt und eine hervorragende Effizienz und robuste Funktionalität gewährleistet. Mit einer erweiterten Qualifikation, die über die AEC Q101 hinausgeht, wird er erweiterten elektrischen Tests unterzogen, um die Haltbarkeit auch in rauen Umgebungen zu gewährleisten. Dieses Gerät unterstützt einen weiten Betriebstemperaturbereich und eignet sich daher für die unterschiedlichsten Bedingungen im Automobilbereich. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die hohe kontinuierliche Ablassstromfähigkeit machen diesen MOSFET zu einer idealen Wahl für anspruchsvolle Stromverwaltungsaufgaben und sorgen dafür, dass die Fahrzeugleistung unvermindert bleibt.

Konzipiert für die Einhaltung der Automobilvorschriften

Robust für anspruchsvolle Umgebungen

Verbesserte Tests für Zuverlässigkeit

Ausgezeichnete thermische Leistung

Hoher Wirkungsgrad bei minimalem Verlust

Avalanche-Bewertung für Energietransienten

MSL1-Klassifizierung bis zu 260°C

Erweiterte Gate-Ladung für effizientes Schalten

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