Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 310 A, 8-Pin PG-HSOG-8-1

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-709
Herst. Teile-Nr.:
IAUTN12S5N018GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

310 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-HSOG-8-1

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET von Infineon wurde speziell für Anwendungen im Automobilbereich entwickelt und gewährleistet eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit. Mit seiner robusten N-Kanal-Enhancement-Mode-Konfiguration zeichnet sich dieser MOSFET auch unter anspruchsvollen Bedingungen aus und bietet erweiterte Qualifikationen, die die Industriestandards übertreffen. Es kann bei Temperaturen von bis zu 175 °C eingesetzt werden und unterliegt erweiterten elektrischen Prüfungen, was es zu einem wichtigen Bauteil für innovative Automobilkonstruktionen macht. Das Gerät ist für eine minimale Rückspeisung optimiert, was sich in einer höheren Effizienz und einem geringeren Energieverlust in Ihren Anwendungen niederschlägt. Diese Kombination aus hoher Haltbarkeit und erstklassiger Leistung macht es zu einer wichtigen Wahl für Automobilingenieure, die zuverlässige Lösungen für ihre Konstruktionen suchen.

Optimiert für hohe Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie
Ausgezeichnete thermische Leistung bis zu 175°C
Niedriger Durchlasswiderstand für Energieeffizienz
Avalanche für Überstromschutz ausgelegt
RoHS-konform für Umweltstandards
Robuste Konstruktion für hohe Impulsströme
100% lawinengeprüft zur Qualitätssicherung

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