ROHM RD3P06BBKH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 100 V / 59 A 76 W, 8-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
264-943
Herst. Teile-Nr.:
RD3P06BBKHRBTL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

59A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

RD3P06BBKH

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.8mΩ

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

76W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der ROHM-MOSFET wurde für robuste Anwendungen entwickelt, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit einer Ausschaltspannung von bis zu 100 V und einem Dauerstrom von 59 A ist dieses Gerät für anspruchsvolle Aufgaben im Automobil- und Industriebereich konzipiert. Er verfügt über ein kompaktes DPAK/TO-252-Gehäuse, das eine einfache Integration in verschiedene Schaltungsdesigns ermöglicht.

Geeignet für verschiedene Anwendungen, einschließlich Automobil- und Industrieelektronik

Gepulster Ableitstrom von bis zu 118 A unterstreicht die Vielseitigkeit in anspruchsvollen Umgebungen

Verwendung einer Pd-freien Beschichtung, die die Kompatibilität mit modernen Produktionsprozessen gewährleistet

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