ROHM UT6 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung 2 W, 8-Pin HUML2020L8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
264-720
Herst. Teile-Nr.:
UT6ME5TCR
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HUML2020L8

Serie

UT6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der ROHM Dual Nch+Pch ist ein MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand, der sich ideal für Schaltanwendungen eignet. Dieses Produkt enthält zwei 100-V-MOSFETs in einem kleinen oberflächenmontierbaren Gehäuse (DFN2020-8D).

Kleines oberflächenmontierbares Gehäuse

Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei

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