ROHM UT6 N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 2 A 2 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 264-564
- Herst. Teile-Nr.:
- UT6KE5TCR
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | UT6 | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 207mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie UT6 | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 207mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM 100V 2,0A Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET im DFN2020-8D-Gehäuse zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand aus und ist damit ideal für Schaltanwendungen und DC/DC-Wandler. Er integriert zwei 100-V-MOSFETs in einem kompakten oberflächenmontierten Design.
Niedriger Einschaltwiderstand
Kleines oberflächenmontiertes Gehäuse
Pb-freie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
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