STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 40 A 312 W, 4-Pin Hip-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 214-957
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040W120G3-4
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 214-957
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040W120G3-4
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- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10V, 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2kV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ECOPACK2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10V, 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2kV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ECOPACK2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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