IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 150 V / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
194-259P
Herst. Teile-Nr.:
IXFN180N15P
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

150 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Gehäusegröße

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Montage-Typ

Schraubmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

680 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

38.23mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

25.42mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

240 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

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