onsemi IGBT / 120 A, 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 5,80

(ohne MwSt.)

€ 6,96

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Lieferengpass
  • Noch 2 Einheit(en) verfügbar, versandfertig
  • Zusätzlich 17 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 196 Einheit(en) mit Versand ab 26. Februar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
1 - 9€ 5,80
10 +€ 4,99

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
864-8795
Herst. Teile-Nr.:
FGA60N65SMD
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

120A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

600W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

140ns

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Field Stop

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed