onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 864-8795
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA60N65SMD
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 5,80
(ohne MwSt.)
€ 6,96
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Lieferengpass
- Noch 2 Einheit(en) verfügbar, versandfertig
- Zusätzlich 4 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 39 Einheit(en) mit Versand ab 13. Jänner 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 5,80 |
| 10 + | € 4,99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-8795
- Herst. Teile-Nr.:
- FGA60N65SMD
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 120 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 600 W | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 120 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 600 W | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- onsemi IGBT / 40 A ±20V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- Starpower IGBT / 150 A 20V max., 650 V 600 W N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal
- onsemi IGBT / 24 A ±20V max. 3-Pin TO-3PN N-Kanal
- onsemi IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin TO-3PF N-Kanal
- onsemi IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin TO-247 N-Kanal