onsemi IGBT / 120 A, 650 V 600 W, 3-Pin TO-3PN Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
166-2181
Herst. Teile-Nr.:
FGA60N65SMD
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

120A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

600W

Gehäusegröße

TO-3PN

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

140ns

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.5V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Field Stop

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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