onsemi IGBT / 100 A, 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
214-8786
Herst. Teile-Nr.:
AFGY100T65SPD
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

660W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Serie

AFGY100T65SPD

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.

Enge Parameterverteilung

Hohe Eingangsimpedanz

Kurzschluss-Robustheit

Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode

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