onsemi IGBT / 100 A, 650 V 660 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 213,21

(ohne MwSt.)

€ 255,84

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 30€ 7,107€ 213,21
60 - 60€ 6,837€ 205,11
90 +€ 6,745€ 202,35

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
214-8785
Herst. Teile-Nr.:
AFGY100T65SPD
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

660W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

AFGY100T65SPD

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Serie on Semiconductor AFGY ist IGBT mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode, die sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste für einen hocheffizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen, robuste transiente Zuverlässigkeit und geringe elektromagnetische Störungen bietet.

Enge Parameterverteilung

Hohe Eingangsimpedanz

Kurzschluss-Robustheit

Zusammen mit einer weichen, schnellen Wiederherstellungsdiode

Verwandte Links