Infineon IGBT / 50 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2931
- Herst. Teile-Nr.:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.64V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 62.8mm | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.64V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 62.8mm | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Höhe 16.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon mit TRENCHSTOP IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode, NTC- und pressFIT-Kontakttechnologie.
Hohe Leistungsdichte
Kompakte Bauweise
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