Infineon IGBT / 2400 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-362
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 2400A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 247mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Höhe | 38.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 2400A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 247mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Höhe 38.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC wurde für Anwendungen mit sehr hoher Leistung entwickelt und bietet eine hervorragende Performance und Effizienz. Es bietet die höchste Leistungsdichte und optimiert sowohl den Platzbedarf als auch die Leistungsaufnahme für anspruchsvolle industrielle Anwendungen. Das Modul verfügt über die klassenbeste VCEsat, die eine niedrige Sättigungsspannung liefert, um die Effizienz zu maximieren und Energieverluste zu minimieren.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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