Infineon IGBT / 2400 A Halbbrücke, 1200 V 20 mW Modul Typ N-Kanal Schraubanschlussklemme
- RS Best.-Nr.:
- 349-363
- Herst. Teile-Nr.:
- FF2400R12IP7PBPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 2400A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 89 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Höhe | 38.25mm | |
| Länge | 247mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 2400A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 89 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Höhe 38.25mm | ||
Länge 247mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon PrimePACK 3+ Dual IGBT Modul mit TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 Diode und NTC ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und bietet außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit. Es zeichnet sich durch höchste Leistungsdichte aus, die einen effizienten Betrieb auf kleinstem Raum ermöglicht. Mit dem erstklassigen VCEsat sorgt das Modul für eine niedrige Sättigungsspannung, was den Gesamtwirkungsgrad verbessert und Leistungsverluste reduziert.
Erhöhung der Leistungsdichte
Geringerer Kühlaufwand bei gleicher Ausgangsleistung
Hohe Leistungsdichte ermöglicht Framesprung
Vermeidung der Parallelschaltung von IGBT-Modulen
Standardisiertes Gehäuse
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