Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 31-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-2927
- Herst. Teile-Nr.:
- FP75R12N2T7BPSA2
- Hersteller:
- Infineon
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- FP75R12N2T7BPSA2
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | EconoPIM2 | |
| Konfiguration | Gemeinsamer Emittent | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 31 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.77V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 107.5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße EconoPIM2 | ||
Konfiguration Gemeinsamer Emittent | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 31 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.77V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 107.5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Höhe 20.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul von Infineon mit IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC. Die PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Bremschraubendreher ermöglicht Einsparungen bei den Systemkosten.
Hohe Zuverlässigkeit und Leistungsdichte
Kupfer-Sockelplatte für optimierte Wärmeverteilung
Hohe Leistungsdichte
Lötkontakttechnologie
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