Infineon IGBT / 75 A Gemeinsamer Emittent, 1200 V 20 mW, 31-Pin EconoPIM2 Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
273-2927
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12N2T7BPSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

7

Konfiguration

Gemeinsamer Emittent

Gehäusegröße

EconoPIM2

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

31

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.77V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.5mm

Normen/Zulassungen

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Länge

107.5mm

Breite

45 mm

Automobilstandard

Nein

Das dreiphasige PIM-IGBT-Modul von Infineon mit IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC. Die PIM (Power Integrated Modules) mit Integration von Gleichrichter und Bremschraubendreher ermöglicht Einsparungen bei den Systemkosten.

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