Infineon IGBT-Modul / 50 A, 600 V 333 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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€ 111,60
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,232 | € 111,60 |
| 100 - 200 | € 2,12 | € 106,00 |
| 250 + | € 1,986 | € 99,30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1524
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP50N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Länge | 29.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Breite 10.36 mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Länge 29.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT mit geringem Verlust von Infineon verfügt über eine einfache parallele Schaltfunktion aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vcesat. Es verfügt über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten. Es handelt sich um eine sehr weiche, schnell erholbare, antiparallel-emittergesteuerte Diode.
Maximale Anschlusstemperatur: 175 °C
Kurzschlussbeständigkeit 5 Mikrosekunden
Niedrige elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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