Infineon IGBT / 50 A, 600 V 333 W, 3-Pin PG-TO-247 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7439
- Herst. Teile-Nr.:
- IGW50N60H3FKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IGW50N60H3FKSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Länge | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.21mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Länge 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT in Trench- und Field-Stop-Technologie. Dieser IGBT hat eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Umrichter mit hoher Schaltfrequenz empfohlen.
Geringe EMI
Niedriger VCEsat
Halogenfrei
RoHS-konform
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholsame Antiparallel-Diode
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