Infineon IGBT / 50 A, 650 V 273 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-1018
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65ET7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- 258-1018
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N65ET7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 273W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 41.9mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Breite | 16.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 273W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 41.9mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Breite 16.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP IGBT7 von Infineon, 650 V, 50 A, diskret in TO-247-Gehäuse mit weicher EC7-Diode im Inneren. Diese preisoptimierte Leistungsserie bietet eine erstklassige Steuerbarkeit für bessere elektromagnetische Störungen, während die Schaltverluste niedriger sind als bei früheren Technologien.
Geringe Abschaltverluste
Kurzer Anschlussstrom
Geringere elektromagnetische Störungen
Feuchtigkeitsbeständiges Design
Sehr weiche, schnelle Wiederherstellung antiparallele Diode
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