Infineon IGBT / 85 A, 650 V 273 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 77,76

(ohne MwSt.)

€ 93,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 210 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 2,592€ 77,76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
215-6676
Herst. Teile-Nr.:
IKZ50N65EH5XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

85A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

273W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

4

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 650-V-Zweifach-bipolare Transistor mit isoliertem Gate und die Diode werden mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode kopadiert.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

Verwandte Links