Infineon IGBT / 80 A, 1.42 V 395 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 257-9261
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZ75N65ES5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
€ 132,48
(ohne MwSt.)
€ 158,97
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,416 | € 132,48 |
| 60 - 120 | € 3,665 | € 109,95 |
| 150 + | € 3,40 | € 102,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9261
- Herst. Teile-Nr.:
- IKZ75N65ES5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.42V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.42V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-Serie IKZ ist die 650 V, 75 A IGBT mit Anti-Parallel-Diode in TO 247-Gehäuse. Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP 5 S5 IGBT mit 650 V, 75 A und hoher Schaltleistung in TO 247-4-Gehäuse mit einem zusätzlichen Kelvin-Emitter-Stift. Der 4-polige TO 247 bietet eine extrem niedrige Induktivität an der Gate-Emitter-Steuerschleife und bringt den TRENCHSTOP 5 IGBT auf die nächste Stufe der besten Schaltleistung seiner Klasse.
Sehr niedrige Steuerinduktivitätsschleife
Zusätzlicher Emitter-Stift, der vierte Gehäusestift, für Treiberfeedback
Gleiche Abstand des Kollektor-Emitters wie das Standard-TO 247-Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 80 A 20V max. 42 V 395 W PG-TO247-4
- Infineon IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 938 W PG-TO247-4-2
- Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 1200 V 652 W PG-TO247-4-2
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
- Infineon IGBT 536 W PG-TO247-4
- Infineon IGBT / 90 A ±20 V 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3
- IGBT-Transistormodul / 75 A 15V max. Dual, 650 V 395 W PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 82 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
