STMicroelectronics IGBT / 85 A, 1600 V 395 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 468-508
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30IH160DF2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 85A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 331ns | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | IH2 | |
| Länge | 20.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 85A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 331ns | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie IH2 | ||
Länge 20.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT von STMicroelectronics wurde unter Verwendung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feld-Stopp-Struktur entwickelt, deren Leistung sowohl hinsichtlich der Leitungs- als auch der Schaltverluste für eine weiche Schaltung optimiert ist. Eine Freilaufdiode mit geringem Durchlassspannungsabfall ist inklusive. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell für die Maximierung des Wirkungsgrads bei allen Resonanz- und Soft-Switching-Anwendungen entwickelt wurde.
Minimierter Schwanzstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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