Teile-Nr.

Infineon IGBT / 90 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6675
Herst. Teile-Nr.:: IKW75N65EH5XKSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT / 90 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 10,97

(ohne MwSt.)

€ 13,164

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Auf Lager

Zusätzlich 54 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	€ 5,485	€ 10,97
10 - 18	€ 4,985	€ 9,97
20 - 48	€ 4,655	€ 9,31
50 - 98	€ 4,33	€ 8,66
100 +	€ 4,00	€ 8,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6675
Herst. Teile-Nr.:: IKW75N65EH5XKSA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	90 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	395 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 90 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 395 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-IKW75N65EH5XKSA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 90 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Verwandte Links