Infineon IGBT / 90 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
215-6674
Herst. Teile-Nr.:
IKW75N65EH5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

90 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±30 V

Verlustleistung max.

395 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gate und Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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