Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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RS Best.-Nr.:
253-9836
Herst. Teile-Nr.:
FP75R12N2T7PB11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

107.5mm

Höhe

17mm

Breite

45 mm

Serie

FP75R12N2T7PB11B

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Serie FP75 von Infineon ist ein EconoPIM 2-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.

Niedriger VCEsat-Überlastbetrieb bis zu 175 °C Hohe Leistungs- und thermische Zyklusfähigkeit Integrierter NTC-Temperatursensor Kupfer-Basisplatte PessFIT-Kontakttechnologie Voranlegtes thermisches Schnittstellenmaterial

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