Infineon IGBT-Modul / 750 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW AG-ECONOD
- RS Best.-Nr.:
- 232-3047
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 232-3047
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R12ME7B11BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 750 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Verlustleistung max. | 20 mW | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | AG-ECONOD | |
| Montage-Typ | Chassismontage | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 750 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Verlustleistung max. 20 mW | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße AG-ECONOD | ||
Montage-Typ Chassismontage | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Das Infineon verfügt über EconoDUAL 1200 V, 750 A zweifaches Trenchstop IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie. Dieses Modul hat einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und ist für Einpress- und Lötverfahren geeignet.
Standardgehäuse
Isolierte Grundplatte
Hohe Leistungsdichte
Isolierte Grundplatte
Hohe Leistungsdichte
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