Infineon IGBT-Modul / 750 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin AG-ECONOD Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
232-3046
Herst. Teile-Nr.:
FF750R12ME7B11BPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

750A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-ECONOD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

11

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.75V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

152mm

Breite

62.5 mm

Höhe

20.5mm

Normen/Zulassungen

60068, 60749, IEC 60747

Serie

FF750R12ME7_B11

Automobilstandard

Nein

Das Infineon verfügt über EconoDUAL 1200 V, 750 A zweifaches Trenchstop IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC- und Pressfit-Kontakttechnologie. Dieses Modul hat einen höheren Wechselrichter-Ausgangsstrom für die gleiche Rahmengröße und ist für Einpress- und Lötverfahren geeignet.

Standardgehäuse

Isolierte Grundplatte

Hohe Leistungsdichte

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