Bourns IGBT / 100 A, 650 V TO-247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 8,06

(ohne MwSt.)

€ 9,68

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 102 Einheit(en) mit Versand ab 18. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 4,03€ 8,06
10 - 48€ 3,625€ 7,25
50 - 98€ 3,415€ 6,83
100 - 248€ 2,975€ 5,95
250 +€ 2,915€ 5,83

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
253-3509
Herst. Teile-Nr.:
BIDW50N65T
Hersteller:
Bourns
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Bourns

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Gehäusegröße

TO-247

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen niedrigeren Wärmewiderstand R(th).

650 V, 50 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))

Trench-Gate-Field-Stop-Technologie

Optimiert für Leitfähigkeit

RoHS-konform

Verwandte Links