Bourns IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 416 W TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
253-3509
Herst. Teile-Nr.:
BIDW50N65T
Hersteller:
Bourns
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Marke

Bourns

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

416 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Einfachdiode

Gehäusegröße

TO-247

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen niedrigeren Wärmewiderstand R(th).

650 V, 50 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
RoHS-konform

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