Bourns IGBT / 100 A, 650 V TO-247

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 600 Stück)*

€ 2.750,40

(ohne MwSt.)

€ 3.300,60

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
600 +€ 4,584€ 2.750,40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
253-3508
Herst. Teile-Nr.:
BIDW50N65T
Hersteller:
Bourns
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Bourns

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

100A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Gehäusegröße

TO-247

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE )

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen niedrigeren Wärmewiderstand R(th).

650 V, 50 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))

Trench-Gate-Field-Stop-Technologie

Optimiert für Leitfähigkeit

RoHS-konform

Verwandte Links