Bourns IGBT / 40 A, 600 V 192 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 253-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Hersteller:
- Bourns
Zwischensumme (1 Stange mit 600 Stück)*
€ 1.010,40
(ohne MwSt.)
€ 1.212,60
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 600 + | € 1,684 | € 1.010,40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 253-3504
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDW20N60T
- Hersteller:
- Bourns
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 192W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BIDW20N60T | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 192W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BIDW20N60T | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einem geringeren Leitungsverlust und weniger Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus bietet diese Struktur einen positiven Temperaturkoeffizienten.
600 V, 20 A, niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat))
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Niedriger Schaltverlust
RoHS-konform
Verwandte Links
- Bourns IGBT / 20 A ±20V max. , 600 V 192 W TO-247
- Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247
- Bourns IGBT / 30 A ±20V max. , 600 V 230 W TO-247N
- Bourns IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 416 W TO-247
- Bourns IGBT / 5 A ±30V max. , 600 V 82 W TO-252
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 20 A 20V max. 3-Pin PG-TO252 N-Kanal
- Infineon IGBT / 20 A ±20V max. 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal
