onsemi IGBT-Modul 118 W Q0PACK – Gehäuse 180AJ Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6981
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH40B120MNQ0SNG
- Hersteller:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NXH40B120MNQ0SNG
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 118W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Q0PACK – Gehäuse 180AJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 55.2mm | |
| Höhe | 13.9mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | NXH40B120MNQ0SNG | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 118W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Q0PACK – Gehäuse 180AJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 55.2mm | ||
Höhe 13.9mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie NXH40B120MNQ0SNG | ||
Automobilstandard Nein | ||
Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Zweikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 40 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-Diode, vernickeltes DBC
Das on Semiconductor 3-Kanal-Boost Q1-Stromversorgungsmodul ist ein Stromversorgungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.
1200 V 40 m SiC MOSFETs
SiC-Dioden mit niedriger Rückwärtsrückgewinnung und schneller Schaltung
1200-V-Bypass- und antiparallele Dioden
Lötbare Stifte Thermistor mit niedrigem induktivem Layout
Dieses Gerät ist bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
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