onsemi IGBT-Modul 69 W Q0BOOST - Gehäuse 180AJ Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6990
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 245-6990
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 69W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | Q0BOOST - Gehäuse 180AJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 13.9mm | |
| Länge | 55.2mm | |
| Breite | 32.8 mm | |
| Serie | NXH80B120MNQ0SNG | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 69W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße Q0BOOST - Gehäuse 180AJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 13.9mm | ||
Länge 55.2mm | ||
Breite 32.8 mm | ||
Serie NXH80B120MNQ0SNG | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Zweikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 80 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 20 A SiC-Diode, vernickeltes DBC
Das on Semiconductor Dual Boost Power Module ist ein Leistungsmodul mit einer zweifachen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.
1200 V 80 m SiC MOSFETs
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