onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM)

Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6958
Herst. Teile-Nr.:
NXH020F120MNF1PTG
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Anzahl an Transistoren

4

Verlustleistung max.

119 W

Gehäusegröße

F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (bleifrei und halogenfrei)

Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 20 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.

SiC-MOSFET-Halbbrücke, 20 m/1200 V

Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM

Pressstifte

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Verwandte Links