onsemi IGBT-Modul Quad 119 W F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6958
Herst. Teile-Nr.:
NXH020F120MNF1PTG
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Verlustleistung max.

119 W

Anzahl an Transistoren

4

Gehäusegröße

F1-4PACK Presssitzstifte mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien (TIM) (bleifrei und halogenfrei)

Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 20 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.

SiC-MOSFET-Halbbrücke, 20 m/1200 V
Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Pressstifte
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

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