onsemi IGBT-Modul 119 W F1-4PACK Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 245-6957
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH020F120MNF1PTG
- Hersteller:
- onsemi
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 245-6957
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH020F120MNF1PTG
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 119W | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Gehäusegröße | F1-4PACK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 34.1 mm | |
| Höhe | 12.35mm | |
| Länge | 48.8mm | |
| Serie | NXH020F120MNF1PTG | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximale Verlustleistung Pd 119W | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Gehäusegröße F1-4PACK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 34.1 mm | ||
Höhe 12.35mm | ||
Länge 48.8mm | ||
Serie NXH020F120MNF1PTG | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das on Semiconductor F1 4PACK SiC MOSFET-Modul ist ein Leistungsmodul mit einer 20 m/1200 V SiC MOSFET-Vollbrücke und einem Thermistor in einem F1-Gehäuse.
SiC-MOSFET-Halbbrücke, 20 m/1200 V
Thermistor-Optionen mit vorinstalltem thermischem Schnittstellenmaterial und ohne voreingesetzte TIM
Pressstifte
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform
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