Infineon IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 1600 W

Dieses IGBT-Modul ist ein Leistungshalbleitergerät, das zum Schalten und Steuern von Hochspannungs-Gleichstromkreisen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er kombiniert zwei Transistoren in einem einzigen Gehäuse, um hohe Stromlasten zu bewältigen, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist.

• 1200 V Blockierfähigkeit für Hochspannungsschaltanwendungen
• 450 A kontinuierlicher Kollektorstrom zur Unterstützung hoher Stromanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 1600 W für dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• Niedrige Vce(sat) von 2,15 V für geringere Leitungsverluste
• Maximale Gate-Emitter-Nennleistung von 20 V zur Definition von sicheren Antriebsgrenzwerten
• Betriebstemperatur bis zu 175 °C für Installationen mit erhöhter Temperatur

• Geeignet für Hochspannungs-Motorantriebssysteme
• Ideal für industrielle Wechselrichter, die hohe Ströme erfordern
• Kann für Wandlerstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Wird mit Netzteilen verwendet, die kompakte Dual-Transistoren benötigen
• Anwendbar in Umgebungen der Traktions- oder Versorgungselektronik

Es enthält zwei aufeinander abgestimmte Transistoren in einem einzigen Modul, die synchrone oder komplementäre Schaltanordnungen ermöglichen.

Er ist für den Betrieb bis zu -40 °C und bis zu 175 °C ausgelegt und eignet sich für den Einsatz in weiten Temperaturbereichen.

Die Gate-Emitter-Grenzspannung von 20 V definiert die maximal zulässige Gate-Drive-Spannung und bestimmt den erforderlichen Gate-Drive-Schutz und die Pegelverschiebung.

Die Entwickler müssen bei der Planung des Wärmemanagements einen Kollektor-Emitter-Sperrschwellenwert von 1200 V und eine Gehäusedeckel von 1600 W berücksichtigen.