Fuji IGBT-Modul / 360 A ±20V max., 1200 V 1,6 kW, 7-Pin M276 N-Kanal

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Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
Infineon IGBT-Modul / 300 A, 1200 V 1600 W, 7-Pin 62MM-Modul Typ N-Kanal Klemme
RS Best.-Nr.
906-3079

1 Stück

€ 96,01

(ohne MwSt.)

€ 115,21

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
747-1099
Herst. Teile-Nr.:
2MBi300VH-120-50
Hersteller:
Fuji
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Marke

Fuji

Dauer-Kollektorstrom max.

360 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

1,6 kW

Gehäusegröße

M276

Konfiguration

Serie

Montage-Typ

Schraubmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Abmessungen

108 x 62 x 30.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBT-Module 2er-Pack, Fuji Electric


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IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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