Fuji IGBT-Modul / 360 A ±20V max., 1200 V 1,6 kW, 7-Pin M276 N-Kanal

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.

Alternative

Folgende mögliche Alternative können wir anbieten:

presentation
Infineon IGBT-Modul / 300 A ±20V max., 1200 V 1600 W, 7-Pin 62MM-Modul N-Kanal
RS Best.-Nr.
906-3079

1 Stück

€ 131,75

(ohne MwSt.)

€ 158,10

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
747-1099
Herst. Teile-Nr.:
2MBi300VH-120-50
Hersteller:
Fuji
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Fuji

Dauer-Kollektorstrom max.

360 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

1,6 kW

Konfiguration

Serie

Gehäusegröße

M276

Montage-Typ

Schraubmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Abmessungen

108 x 62 x 30.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBT-Module 2er-Pack, Fuji Electric


Serie V, Feld-Ausschalter der 6. Generation
Serie U/U4, Feld-Ausschalter der 5. Generation
Serie S, NPT der 4. Generation


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links