Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 242-0975
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 242-0975
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP15N60TXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 26 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 130 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | TO-220-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 26 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 130 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße TO-220-3 | ||
Der 600 V, 15 A IGBTs-Transistor von Infineon hat einen maximalen kontinuierlichen Kollektorstrom von 26 A. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Er verfügt über den höchsten Wirkungsgrad, niedrige Leitungs- und Schaltverluste, umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Designflexibilität und hohe Gerätezuverlässigkeit.
Antiparallele, emittergesteuerte Diode mit sehr weicher, schneller Erholung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Robustheit, temperaturbeständiges Verhalten
Niedrige elektromagnetische Emissionen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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