Teile-Nr.

Infineon IGBT / 20 A, 650 V 125 W TO-220

Name: Infineon IGBT / 20 A, 650 V 125 W TO-220
Brand: Infineon
SKU: 242-0978
Price: 1.33 EUR
Availability: InStock

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	20A
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	650V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Gehäusegröße	TO-220
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	±20 ±30 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.65V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.57mm
	Normen/Zulassungen	JEDEC
	Serie	High Speed Fifth Generation
	Breite	10.36 mm
	Länge	29.95mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Gehäusegröße TO-220
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.57mm
	Normen/Zulassungen JEDEC
	Serie High Speed Fifth Generation
	Breite 10.36 mm
	Länge 29.95mm
	Automobilstandard Nein

Der IGBT-Transistor von Infineon hat eine Durchbruchspannung von 650 V. Die maximale Sperrschichttemperatur des Transistors beträgt 175 °C.

Best-in-Class-Effizienz in Hard-Switching- und Resonanztopologien

Plug-and-Play-Ersatz von IGBTs der vorherigen Generation

Anwendbar in Solarwandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Schweißwandlern

Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich

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