Infineon IGBT-Modul / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V AG-62MM N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
233-3498
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12KT4HOSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-62MM

Konfiguration

Dual

Channel-Typ

N

Transistor-Konfiguration

Serie

Das Infineon Dual Fast Trench IGBT-Modul mit Trenchstop IGBT4 und Emitter-gesteuerter 4-Diode.

Höchste Leistungsdichte
Flexibilität
Optimale elektrische Leistung
Höchste Zuverlässigkeit

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