Infineon IGBT / 600 A 20V max., 1200 V 1,2 kW AG-62MM N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 222-4794
- Herst. Teile-Nr.:
- FF600R12KE4BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 600 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Verlustleistung max. | 1,2 kW | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | AG-62MM | |
| Channel-Typ | N | |
| Transistor-Konfiguration | Single & Common Emitter | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 600 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Verlustleistung max. 1,2 kW | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße AG-62MM | ||
Channel-Typ N | ||
Transistor-Konfiguration Single & Common Emitter | ||
Das Infineon 62 mm 1200 V, 600 A Dual-IGBT-Modul mit Trenchstop ® IGBT4 und Emitter-gesteuerter Diode. Auch erhältlich als Variante mit gemeinsamem Emitter:FF600R12KE4_E.
RoHS-konform
4 kV ac, 1 min Isolierung
Gehäuse mit CTI > 400
Hohe Kriechalter- und Sicherheitsabstände
UL/CSA-Zertifizierung mit UL1557 E83336
4 kV ac, 1 min Isolierung
Gehäuse mit CTI > 400
Hohe Kriechalter- und Sicherheitsabstände
UL/CSA-Zertifizierung mit UL1557 E83336
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