Infineon IGBT / 600 A ±20V max. Dual, 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-966
Herst. Teile-Nr.:
FF600R12KE7EHPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

2

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Gehäusegröße

AG-62MMHB

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Das Infineon IGBT-Modul ist ein 62 mm langes 1200 V, 600 A duales IGBT-Modul mit niedriger Sättigung und schnellem Trench mit TRENCHSTOP IGBT7 und emittergesteuerter Diode. Vorhandene Gehäuse mit höherer Strombelastbarkeit ermöglichen eine höhere Ausgangsleistung des Wechselrichters bei gleicher Baugröße. Geringere Systemkosten durch Vereinfachung der Wechselrichtersysteme.

Höchste Leistungsdichte
Klassenbester VCEsat
Hohe Kriech- und Luftstrecken
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse
RoHS-Konformität
4 kV AC 1 min Isolierung

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