Infineon IGBT / 600 A, 1.2 kV, 7-Pin AG-62MM N-Kanal Oberfläche

RS Best.-Nr.:: 222-4793
Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KE4BOSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IGBT / 600 A, 1.2 kV, 7-Pin AG-62MM N-Kanal Oberfläche

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Herst. Teile-Nr.:: FF600R12KE4BOSA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	600A
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1.2kV
	Anzahl an Transistoren	2
	Gehäusegröße	AG-62MM
	Montageart	Oberfläche
	Kabelkanaltyp	N
	Pinanzahl	7
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	20 V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	2.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	UL Approved (E83335)
	Breite	61.4mm
	Serie	FF600R12KE4
	Höhe	30.9mm
	Länge	106.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 600A
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.2kV
	Anzahl an Transistoren 2
	Gehäusegröße AG-62MM
	Montageart Oberfläche
	Kabelkanaltyp N
	Pinanzahl 7
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen UL Approved (E83335)
	Breite 61.4mm
	Serie FF600R12KE4
	Höhe 30.9mm
	Länge 106.4mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - FF600R12KE4BOSA1

Infineon FF600R12KE4 Serie IGBT, 1200 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung, 600 A maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom – FF600R12KE4BOSA1

Dieser IGBT ist ein oberflächenmontierter Leistungshalbleiter, der für Hochspannungsschaltungen in industriellen Stromversorgungssystemen entwickelt wurde. Er kombiniert zwei Transistoren in einem einzigen 7-poligen Gehäuse, um schwere Gleichströme zu bewältigen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten, wodurch er sich für anspruchsvolle elektrische Steuerungs- und Umwandlungsaufgaben eignet.

Merkmale und Vorteile:

• Die Kollektor-Emitter-Bewertung von 1200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 600 A kontinuierlicher Kollektorstrom unterstützt hohe Stromlasten
• 2,2 V VCE(sat) minimiert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 20-V-Gate-Emitter-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Treiber-Margen
• Die UL E83335-Zulassung bestätigt die anerkannte Sicherheitsbewertung
• Arbeitet zwischen -40 °C und 150 °C für einen erweiterten thermischen Bereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für industrielle Stromwandler, die hohe Spannungen bewältigen
• Wird für Traktionsumrichter verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebe
• Kann für Wechselrichterstapeln für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Stromversorgungen in Hochleistungs-Automatisierungssystemen

Welches Gehäuseformat nutzt das Gerät für die Montage?

Er wird in einem oberflächenmontierbaren AG‐62MM-Gehäuse geliefert.

Wie viele Transistorelemente befinden sich im Modul?

Das Modul enthält zwei Transistoren in einer dualen Konfiguration.

Welche Anzahl von Pins sollten Entwickler auf der Leiterplatte aufnehmen?

Die Entwickler sollten eine 7-polige Grundfläche zulassen.

Welche Außendimensionen sind bei der Gehäusedesign zu berücksichtigen?

Die Bauteilabmessungen betragen 61,4 mm Breite, 106,4 mm Länge und 30,9 mm Höhe.