Infineon IGBT / 62 A 30V max. , 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 83,05

(ohne MwSt.)

€ 99,65

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +€ 1,661€ 83,05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
226-6104
Herst. Teile-Nr.:
IKP39N65ES5XKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

62 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

188 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO220

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IKP39N65ES5 hat die höchste Leistungsdichte in TO-220-Abmessungen und benötigt keine Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,45 V bei 25 °C
4-facher Ic-Impulsstrom (100 °C Tc)
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.

Verwandte Links