Infineon IGBT / 55 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 188 W, 3-Pin PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
215-6671
Herst. Teile-Nr.:
IKW30N65H5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

55 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20 V, ±30 V

Verlustleistung max.

188 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Pinanzahl

3

Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

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