Infineon IGBT / 55 A, 650 V 188 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6671
Herst. Teile-Nr.:
IKW30N65H5XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

55A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

188W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

42mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Höhe

5.21mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Der isolierte Infineon-650-V-Zweitack-Bipolartransistor ist eine Diode der 5. Generation der Hochgeschwindigkeits-Schaltserie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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