Infineon IGBT / 55 A, 650 V 188 W, 3-Pin 188 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7455
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP30N65H5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7455
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP30N65H5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 55A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gehäusegröße | 188 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 15.85mm | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 55A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gehäusegröße 188 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 15.85mm | ||
Breite 10.38 mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP-5-Technologie mit schneller RAPID-1- und weicher Antiparallel-Diode. Dieser IGBT ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für Solarumrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Schaltfrequenzumrichter im mittleren bis hohen Bereich eingesetzt.
Halogenfrei
RoHS-konform
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleibeschichtung
650 V Durchbruchspannung
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