Infineon IGBT / 55 A +/-20V max. , 650 V 188 W, 3-Pin 188
- RS Best.-Nr.:
- 273-7455
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP30N65H5XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IKP30N65H5XKSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 55 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 188 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | 188 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 55 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 188 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße 188 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-5-IGBT in TRENCHSTOP-5-Technologie mit schneller RAPID-1- und weicher Antiparallel-Diode. Dieser IGBT ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für Solarumrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Schaltfrequenzumrichter im mittleren bis hohen Bereich eingesetzt.
Halogenfrei
RoHS-konform
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleibeschichtung
650 V Durchbruchspannung
RoHS-konform
Niedrige Gate-Ladung
Pb-freie Bleibeschichtung
650 V Durchbruchspannung
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