Infineon IGBT / 25 A 30V max. , 650 V 32,5 W, 3-Pin PG-TO220 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6080
Herst. Teile-Nr.:
IKA10N65ET6XKSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

25 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Verlustleistung max.

32,5 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

PG-TO220

Konfiguration

Single

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IKA10N65ET6 bietet eine gute Wärmeleistung, insbesondere bei höheren Frequenzen und erhöhter Designmarge und Zuverlässigkeit. Es ist eine sehr weiche, schnell rückgewinnende antiparallele Rapid Diode.

Sehr niedriger VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C.
Low Gate-LadeQG
Bleifreie KabelplattenRoHS-konform

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