Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
226-6063
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

270W

Gehäusegröße

PG-TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C

Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.

Vierfacher Nennstrom

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