Infineon IGBT / 80 A 30V max. , 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO263 N-Kanal

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 16,13

(ohne MwSt.)

€ 19,355

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1 000 Einheit(en) mit Versand ab 15. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 3,226€ 16,13
25 - 45€ 2,902€ 14,51
50 - 120€ 2,708€ 13,54
125 - 245€ 2,516€ 12,58
250 +€ 2,356€ 11,78

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6063
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N65S5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

30V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

PG-TO263

Konfiguration

Single

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IGB50N65S ist ein 50-A-IGBT mit antiparalleler Diode ohne Gate-Klemmkomponente. In diesem weichen Stromabfallverhalten ohne Rückstrom ist es ausgezeichnet für die Parallelschaltung geeignet.

Sehr niedriger VCEsat von 1,35 V bei 25 °C
Maximale Sperrschichttemperatur TVJ 175 °C.
Vierfacher Nennstrom

Verwandte Links