Infineon IGBT / 75 A, 1200 V 880 W, 4-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 218-4402
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY75N120CS6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4402
- Herst. Teile-Nr.:
- IKY75N120CS6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 880W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 300ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 41.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 880W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 300ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.85V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Höhe 5.1mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 41.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon High-Speed-IGBT6 mit harter Schaltung Trenchstop ist mit einer weichen und schnellen Rückgewinnungsdiode mit Vollstrom gegen Parallelbetrieb in einem TO-247-Gehäuse ausgestattet und wurde entwickelt, um den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten zu erreichen. Es wird in industriellen Heizungs- und Schweißanlagen sowie in USV-Systemen eingesetzt.
Niedrigste Verluste bei IGBT, hoher Systemwirkungsgrad für höhere Ausgangsleistung
Schneller und einfacher Austausch der Vorgänger-H3-Technologie
Hohe Gerätezuverlässigkeit und voraussichtliche Lebensdauer
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